據(jù)EDN電子技術(shù)設(shè)計(jì)了解， TechInsights日前報(bào)道稱表示，在包括EUV在內(nèi)的下一代光刻技術(shù)方面，臺(tái)積電擁有的專利數(shù)量遠(yuǎn)超三星電子，臺(tái)積電擁有 448 項(xiàng)專利，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子275項(xiàng)，臺(tái)積電多約 170 項(xiàng)。

涉及EUV的主要公司包括全球唯一的EUV光刻設(shè)備制造商ASML、ASML主要合作伙伴的光學(xué)公司卡爾蔡司，以及通過EUV工藝制造半導(dǎo)體的臺(tái)積電和三星電子。

目前，這四家公司的EUV光刻專利的總數(shù)為1114件。其中，卡爾蔡司（353例）和ASML（345例）占據(jù)了相當(dāng)大的比例。臺(tái)積電在晶圓代工界排名第一，也擁有279項(xiàng)專利。三星電子記錄了 137 起相關(guān)專利，是其主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電的一半。

盡管 EUV 正朝著全面商業(yè)化的方向發(fā)展，并受到半導(dǎo)體行業(yè)的廣泛關(guān)注，但半導(dǎo)體生產(chǎn)商對(duì) NIL（納米壓印）和 DSA（引導(dǎo)自組裝）等替代技術(shù)的研究和開發(fā)也很積極。這是因?yàn)镋UV設(shè)備價(jià)格非常昂貴，且供應(yīng)鏈也很有限。

在 NIL 中，將光刻膠 （PR） 涂在晶圓上，然后壓上印有特定圖案的印模以形成電路。因?yàn)樗皇褂苗R頭，所以可以以比現(xiàn)有曝光工藝更低的成本實(shí)現(xiàn)精細(xì)工藝。DSA是一種使用化學(xué)材料形成圖案的方法，與現(xiàn)有的曝光工藝相比，這也有利于降低成本。但是NIL和DSA由于不滿足缺陷控制等可靠性要求，目前還處于研發(fā)階段。

佳能擁有的NIL光刻技術(shù)專利數(shù)量為913件，無人能及。臺(tái)積電和三星電子分別擁有145項(xiàng)和70項(xiàng)專利。但在DSA光刻專利方面，三星電子擁有68項(xiàng)專利，領(lǐng)先于臺(tái)積電的24項(xiàng)專利。

TechInsights表示，“臺(tái)積電是領(lǐng)先的先進(jìn)光刻技術(shù)研發(fā)代工廠，在EUV上投入最多，但在NIL和DSA上也非常重視。雖然與臺(tái)積電相比有差距，但積極爭(zhēng)取專利。”

與此同時(shí)，北美的主要半導(dǎo)體公司，如英特爾、IBM、Global Foundry，專利持有量均在前10名之外。

值得一提的是，我國(guó)中科院積極投入EUV相關(guān)技術(shù)開發(fā)，因此數(shù)據(jù)顯示中科院EUV/NIL/DSA專利數(shù)量直到最近一直在持續(xù)增加。

審核編輯 ：李倩
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